關(guān)于我們產(chǎn)品中心新聞中心資料下載技術(shù)文章客戶(hù)咨詢(xún) 聯(lián)系我們

產(chǎn)品目錄

聯(lián)系我們

名稱(chēng)：上海乾拓貿(mào)易有限公司
上海地址：上海市嘉定區(qū)嘉涌路99弄6號(hào)713室
聯(lián)系人;沈雪
企業(yè)QQ:2880626081
手機(jī)；18918574312（微信）
電話；021-69000975
郵箱:18918574312@163.com

聯(lián)系人：羅丹
QQ：2880626082
直線電話：021-39526590
聯(lián)系人：羅小姐 18917038407（同微信）
郵箱：18917038407@163.com

聯(lián)系人：章瑩玲
企業(yè)QQ:2880626085
手機(jī)；18918572467（微信）
電話；021-69000973
郵箱:18918572467@163.com

聯(lián)系人：王亞波
QQ:2880626088
021-39529839-8012
手機(jī)：17321056802（同微信）
郵箱:17321056802@163.com

技術(shù)文章

首頁(yè) >>> 技術(shù)文章

德國(guó)SICK傳感器的研究概況的資料有哪些

發(fā)布時(shí)間:2016-04-01

德國(guó)SICK傳感器的研究概況的資料有哪些
德國(guó)SICK傳感器市場(chǎng)上用于在*溫壓力測(cè)量領(lǐng)域中替代擴(kuò)散硅壓力傳感器理想產(chǎn)品，但多晶硅在結(jié)構(gòu)上存在長(zhǎng)程無(wú)序性，使多晶硅電阻膜的靈敏度要低于單晶硅電阻膜的靈敏度。如果用單晶硅電阻膜替代多晶硅電阻膜，可以獲得良*的*溫**和更*的靈敏度。

基于這種想法，天津大學(xué)姚素英教授等人，目前正對(duì)單晶硅德國(guó)SICK傳感器的可行性以及制作工藝進(jìn)行深入的研究。該傳感器用單晶硅材料做應(yīng)變電阻，并以一層SiO2薄膜將硅襯底與應(yīng)變電阻層隔離，形成單晶硅SOI結(jié)構(gòu)。

其制作方法是，用硅片直接鍵合減薄的單晶硅SOI材料，襯底為*電阻率P型單晶硅，然后對(duì)單晶硅進(jìn)行*濃度B擴(kuò)散，并用等離子體干法刻蝕電阻條，用LPCVD法雙面淀積Si3N4保護(hù)膜，背面光刻腐蝕窗口，各向異性腐蝕硅杯；后光刻引線孔，并做多層金屬化。上述步驟完成后，再對(duì)芯片進(jìn)行靜電封接、壓焊、封裝等后道工序。

與德國(guó)SICK傳感器相比，單晶硅做應(yīng)變電阻材料，具有較*的靈敏度，單晶硅材料具有相同*的縱向和橫向靈敏靈敏因子，有利于設(shè)計(jì)優(yōu)良的壓阻電橋，**傳感器有的輸出；應(yīng)變電阻與襯底之間用SiO2介質(zhì)層隔離，減小了漏電流，顯著提*了傳感器的工作溫度范圍；由于Si與SiO2之間的直接鍵合，接觸面很匹配，沒(méi)有其它過(guò)濾層，避免了附加應(yīng)力的產(chǎn)生，提*了傳感器的電學(xué)與力學(xué)特性；同時(shí)，單晶硅SOI傳感器的制作工藝與傳統(tǒng)的CMOS制作工藝兼容，易于實(shí)現(xiàn)集成化。所以這是一種**理想的*溫壓力傳感器。

上一篇：MAC電磁閥各種螺紋連接規(guī)格？
下一篇：超低溫BURKERT電磁閥的主要優(yōu)點(diǎn)分析？

地址：上海嘉定嘉涌路99弄6號(hào)713 郵編：201812 易展提供技術(shù)支持滬ICP備09006758號(hào)-20 網(wǎng)站管理入口

男人的天堂色偷偷亚洲京东,2020最新无码国产在线观看,欧美视频一区二区

德國(guó)SICK傳感器的研究概況的資料有哪些