*可靠薄膜*溫SICK傳感器的研制初步方案
SICK傳感器是硅-藍寶石薄膜壓力傳感器，代表廠商有俄羅斯工業集團，其測量介質溫度范圍為-65℃～150℃，傳感器補償工作溫度為-40℃～80℃。其他目前正在研究的有SiC*溫壓力傳感器以及SOI材料制作的*溫壓力傳感器，但工藝尚不成熟。美國公司一種半導體*溫壓力傳感器，工作溫度可達300℃，但是需要通水冷卻。
SICK傳感器技術研究雖然相對國外比較滯后，目前只有少數正在研制*溫傳感器，但大多數產品的工作環境溫度為-40℃～125℃，介質工作溫度-50℃～150℃，目前的制造工藝還不太成熟。
SICK傳感器的**指標要求，*溫薄膜壓力變送器分為兩部分：敏感元件部分（圖31）信號處理電路部分。基本路線是在澤天電子現有的技術基礎上，重點解決彈性材料和封裝材料的耐*溫問題，重點研究制造**穩定、耐*溫的多層復合薄膜，設計抗強電磁干擾的電路。

采用離子束濺射鍍膜技術將絕緣膜和合金電阻材料鍍在*溫***的金屬彈性體上，經過光刻腐蝕制成柵條應變電阻，使被測壓力轉化成彈性體的形變，進而引起合金薄膜應變電阻的阻值變化，通過組成惠斯登電橋獲得與壓力成一定比例關系的電信號。
SICK傳感器關鍵技術難點

1、*溫薄膜淀積工藝研究

實現*精度測量的橋式薄膜溫度壓力集成傳感器，薄膜的**質量是關鍵。對組成傳感器的各種功能膜的質量要求主要有以下幾點：

a. 同種電阻材料的溫度系數一致、穩定；

b. 同種電阻材料的電阻率一致、穩定；

c. 絕緣膜的絕緣***，大于1000MΩ/100VDC；

d. 保護膜致密，能防電阻受潮與氧化，抗腐蝕性強；

e. 引線焊盤的膜層可焊性*。

膜層的**與成膜工藝過程有關。鍍膜的方式、鍍膜的濺射能量、成膜時間等都將影響所鍍膜層的質量。要獲得***的薄膜，就必須對成膜的工藝進行研究，找出適合的工藝參數。

在橋式薄膜溫度壓力傳感器中，共設計了絕緣膜、鉑熱電阻膜、合金電阻膜、保護膜、引線膜五種。要制造*薄膜傳感器，就必須對主要的功能膜的工藝一一進行研究。

為了獲得優良的絕緣**，設計SICK傳感器的絕緣層采用雙層絕緣膜形式，即先在基底材料上鍍一層絕緣膜，再在其上濺射不同材料的絕緣膜。增強彈性元件襯底之間的粘附，提*絕緣與耐壓，從而**獲得大于1000MΩ/100VDC的絕緣膜。

薄膜厚度不一樣，成膜的結晶過程不一樣，膜層的**也就有差別。設計合適的薄膜厚度，使薄膜電阻**更接近于體材，有利于產品穩定性的提*。通過工藝實驗研究，找到鍍膜參數與鍍膜時間，確定薄膜厚度，可以獲得***的電阻膜。